1. 晶体管的结构与类型

晶体管有三个不同掺杂的区域，并形成两个PN结，分为NPN型和PNP型。

1.1 NPN型

特点：

中间P区为基极，很薄，掺杂浓度低发射区N区，掺杂浓度高集电区N区，面积大

1.2 PNP型

特点：

中间N区为基极，很薄，掺杂浓度低发射区P区，掺杂浓度高集电区P区，面积大

e (emitter) 为发射极，b (base) 为基极，c (collector)为集电极，箭头中

2. 晶体管放大状态外部条件

发射结正偏，集电结反偏

NPN型：Uc > Ub > Ue

PNP型：Uc < Ub < Ue

3. 晶体管工作原理

以NPN型晶体管为例

1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电路

发射区杂质浓度高，大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区，形成电子电流；同时基区空穴扩散到发射区形成空穴电流为，不过基区杂质浓度低，空穴电流很小。

2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流

基区的空穴与扩散到基区的电子复合，形成复合电流，由于基区杂质浓度低，只有少部分电子参与复合，其余均作为基区的非平衡少子到达集电结。

3. 集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流

基区非平衡少子在外电场作用下越过集电结到达集电区，形成电流；同时平衡少子在集电区和基区之间的漂移运动形成电流

电流分配关系

= + = + +

= +

= + - = -

= +

4. 共射电路放大系数

共射直流放大系数，物理意义：基区每复合一个电子，就有个电子扩散到集电区，值通常为20~200

= = ( - ) / ( + )

= + (1 + ) = +

为穿透电流，物理意义是，基极开路时，集电极与发射极之间的电流。发射极开路时，集电结的反向饱和电流。一般情况下 >> ， >> 1，所以：

（1 + )

共射交流电流放大系数，记作 ，即

=

共基直流放大系数

= /

= +

= / (1 + ) 或者 = / (1 + )

共基交流电流放大系数

= / = / (1 + )

通常 >> 1， 1；而且与 相同，